電阻測量范圍：范圍本標準規定了用直排四探針測量硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的方法。測量誤差±5%國際標準分類中，四探針法涉及到半導體材料、金屬材料試驗、絕緣流體、獸醫學、復合增強材料、電工器件、無損檢測、集成電路、微電子學、土質、土壤學、水質、電子顯示器件、有色金屬。探針（帶有彈簧及外引線）之間或探針系統其他部分之間的絕緣電照至少為10°Ω.探針排列和間距，四探針應以等距離直線排列，探針閥距及針突狀況應符合GB/T552中的規定。電源：220±10%50HZ/60HZ測量精度±（0.1%讀數）電導率：5×10-6～1×108ms/cm甲醇，99.5%。干燥氮氣。測量儀器探針系統操針為具有45"～150°角的圓罐形破化鴨振針，針實半徑分別為35μm~100μm.100μm~下列文件中的條款通過本標準的引用商成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據本標準達成協議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。GB/T1552硅、儲單晶電阻率測定直排四探針法電流換向開關提供中文或英文兩種語言操作界面選擇，滿足國內及國外客戶需求本標準適用于測量直徑大于15.9mm的由外延、擴散、離子注人到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片基體導電類型與被測薄層相反。適用于測量厚度不小于0.2μm的薄層，方塊電阻的測量范圍為10A~5000n.該方法也可適用于更高或更低照值方塊電阻的測量，但其測量精確度尚未評估。電阻：1×10-5～2×105Ω電壓表輸入阻抗會引入測試誤差。硅片幾何形狀，表面粘污等會影響測試結果。本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時顯示電阻值、電阻率、方阻、電導率值、溫度、壓強值、單位自動換算，配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。測試治具可以根據產品及測試項目要求選購.GB/T14141-2009硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定.直排四探針法用干凈涂題顆子或吸筆將試樣置于樣品臺上，試樣放置的時間應足夠長，達到熱平衡時，試樣溫度為23℃±1℃.試劑氫氰酸，優級純，純水，25℃時電阻率大于2MN·cm。分辨率：0.1uV1uV10uV100uV電流輸出：直流電流?0～1000mA?連續可調，由交流電源供電。250μm的半球形或半徑為50μm~125μm的平的圓截面。干擾因素探什材料和形狀及其和硅片表面接觸是否滿足點電流源注人條件會影響測試精度。量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA,?電位差計和電流計或數字電壓表，量程為1mV~100mV，分辨率為0.1%，直流輸入阻抗不小顯示方式：液晶顯示在中國標準分類中，四探針法涉及到半金屬與半導體材料綜合、金屬物理性能試驗方法、、、電工合金零件、特種陶瓷、質譜儀、液譜儀、能譜儀及其聯用裝置、電阻器、半導體集成電路、工程地質、水文地質勘察與巖土工程、水環境有毒害物質分析方法、電工材料和通用零件綜合、半金屬、元素半導體材料、金屬無損檢驗方法。本儀器配置各類測量裝置可以測試不同材料之電導率。液晶顯示，無需人工計算，并帶有溫度補償功能，電導率單位自動選擇，BEST-300C材料電導率測試儀自動測量并根據測試結果自動轉換量程，無需人工多次和重復設置。選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數據，自動生成圖表和報表。對于薄層厚度小于3μm的試樣，選用針尖半徑為100μm~250μm的半球形探針或針尖率徑為50μm～125pm平頭探針，針尖與試樣間壓力為0.3N~0.8Ni對于薄層厚度不小于3μ的試樣，選用針尖半徑為35μm~100pm半球形操針，針尖與試樣間壓力不大于0.3N.GB/T1551-1995硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法探針與試樣壓力分為小于0.3N及0.3N~0.8N兩種。雙刀雙撐電位選擇開關。化學實驗室器具，如;塑料燒杯，量杯和適用于酸和溶劑的涂塑懾子等。試樣制備如試樣表面潔凈，符合測試條件可直接測試，否則，按下列步驟清洗試樣后測試∶試樣在甲醇中源洗1min。如必要，在甲醇中多次源洗，直到被干燥的試樣無污跡為止。將試樣干燥。放入氫氟酸中清洗1min。用純水洗凈。用甲醇源洗干凈，用氮氣吹干。測量電壓量程：?2mV?20mV?200mV?2V?GB/T6617-1995硅片電阻率測定擴展電阻探針法于10*0.電子測量裝置適用性應符合GB/T1552的規定。歐嬌表，能指示阻值高達10°日的漏電阻.溫度針o℃～40℃，最小刻度為0.1℃。GB/T6617-2009硅片電阻率測定擴展電阻探針法標準電阻;按表2的薄層電阻范圍選取所需的標準電，精度0.05級GB/T1552-1995硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法主機外形尺寸：330mm*340mm*120mm光照、高頻、需動、強電磁場及溫醒度等測試環境會影響測試結果，樣品臺和操針架樣品臺和探針架應符合GB/T152中的規定。樣品臺上應具有旋轉360"的裝置。其誤差不大于士5"，測量裝置測量裝置的典型電路叉圖1，適用范圍四端測試法是目前較先進之測試方法，主要針對高精度要求之產品測試；本儀器廣泛用于生產企業、高等院校、科研部門，是檢驗和分析導體材料和半導體材料質量的一種重要的工具。使用直排四探針測量裝置、使直流電流通過試樣上兩外探件，測量兩內操針之間的電位差，引人與試樣幾何形軟有關的修正因子，計算出薄層電阻。測量條件和步驟整個測試過程應在無光照，無離頻和無振動下進行。電阻率：1×10-6～2×106Ω.cm、分辨率：最小1μΩGB/T11073硅片徑向電阻率變化的測量方法提要恒意源，按表1的推薦值提供試樣所需的電流，精度為±0.5%.標配：測試平臺一套、主機一套、電源線數據線一套。誤差：±0.2%讀數±2字